Samsung ได้ออกมาเปิดเผยความสำเร็จในการผลิตหน่วยความจำ DDR4 ขนาด 8 Gbit เป็นครั้งแรก โดยผลิตภายใต้การผลิตขนาด 10 นาโนเมตร
ทาง Samsung ได้อธิบายว่าจากการลดขนาดการผลิตลง ทำให้ตัวแรม 8Gbit สามารถทำความเร็วแลกเปลี่ยนข้อมูลได้ 3,200 MT/s เลยทีเดียว ในขณะที่แรม 20 นาโนเมตรจะได้ความเร็วเพียง 2,400 MT/s เท่านั้น และนอกจากจะเร็วขึ้นแล้วยังใช้พลังงานน้อยลงกว่าเดิมด้วย โดย Samsung คาดการณ์ว่าจะใช้พลังงานน้อยกว่าเทคโนโลยีเก่าราวๆ 10 - 20% เลยทีเดียว นอกจากนี้การเปลี่ยนกระบวนการผลิตให้เล็กลงทำให้ Samsung สามารถผลิตได้มากกว่าเดิมราวๆ 30% ด้วย
Samsung คาดว่าจะเริ่มวางจำหน่ายแรมประเภทนี้ (10 นาโนเมตร) ที่มีขนาดตั้งแต่ 4GB ไปจนถึง 128GB ภายในปี 2016 นี้ โดยจับตลาดตั้งแต่กลุ่มโน้ตบุคไปจนถึงเซิฟเวอร์
ทาง Samsung ได้บอกคร่าวๆ ว่าใช้ ArF (Argon Fluoride) ในการฉายแสงลงไปในกระบวนการผลิต ทำให้สามารถสร้างชิปที่มีขนาดเล็กลงได้สำเร็จ
ที่มาของข่าว: http://www.overclockzone.com/news/3683
Sign up here with your email